1.4nm亮相，晶圆代工大厂台积电披露技术路线图

台积电在论坛上指出，N3P技术已进入量产，并表示N2技术将在2025年下半年量产。与此同时，台积电还对外展示了其最新的半导体技术路线图，主要聚焦人工智能（AI）、高性能计算（HPC）及先进封装领域的突破。

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A14制程亮相，预计2028年量产

A14是台积电规划的1.4纳米级先进制程，也是台积电的下一世代先进逻辑制程技术，旨在通过提供更快的计算速度和更高的能效来推动人工智能转型。此外，A14制程技术还有望通过提升智能手机的内置AI功能，使其更加智能。

台积电称，A14的表现将明显超越当前最先进的3纳米制程，以及今年晚些时候即将量产的2纳米制程。

据悉，A14将采用第二代全环绕栅极场效应晶体管（GAAFET），取代传统FinFET，通过优化栅极结构和沟道密度，提升电流控制能力，实现更高性能和能效。A14还将通过NanoFlex Pro技术提供更大的灵活性。

与即将于今年晚些时候量产的N2工艺制程相比，在相同功耗下，A14速度可提升15%，或在相同速度下降低高达30%的功耗，同时逻辑密度将提升20%以上。台积电指出，结合纳米片晶体管设计协同最佳化经验，计划将NanoFlex™标准单元架构发展成NanoFlex™Pro，以实现更佳效能、能效和设计灵活性。

台积电A14制程技术重点面向人工智能（AI）、高性能计算（HPC）及高端移动设备，并支持更复杂的AI模型运算与低延迟数据处理。

目前A14制程研发开发进展顺利，良率已提前实现，台积电计划于2028年正式投产，后续还将推出衍生版本（如A14P、A14X、A14C），分别针对高性能、极致优化和成本敏感型需求。

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N3家族再前进：N3P启动量产，N3X下半年接棒

在技术论坛上，台积电透露，已按照原计划在2024年第四季度启动N3P（第三代3纳米级）制程量产，主要面向需要提升效能，同时保留3纳米级IP客户端和数据中心应用。

N3P制程是台积电3nm工艺家族中的“性能增强版”，属于该家族的第三代技术节点，前两代分别为N3B（基础版）和N3E（成本优化版）。

作为N3E的进阶版，N3P保留了设计规则和IP兼容性，在同等功耗下性能提升约5%，或在相同性能下功耗降低5~10%。并且对于典型的逻辑、SRAM和模拟模块混合设计，晶体管密度提升4%。

值得一提的是，台积电将持续壮大N3制程家族，推出N3X制程，并计划在今年下半年量产。

据媒体报道，与N3P相比，N3X可在相同功耗下将最高效能再提升5%，或者在相同性能下降低7%的功耗。报道称，N3X最关键的优势在于支持高达1.2V的电压。但需要指出的是，1.2V的电压对3纳米级制程而言属于极限频率。这样的极限频率也有代价，如漏电功耗可能增加高达250%，因此芯片开发者在采用1.2V电压设计N3X芯片时需要格外谨慎。